型名	社名	用途	構造	最大定格 Max. Ratings (Ta=25ﾟC)					電気的特性 Elec. Character. (Ta=25ﾟC)					外形	備考
	Mnf.	App.	Type	VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	直流又はパルスhFE			fab/ft*	Cob	Pac. Dim. No.
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(ﾟC)		VCE(V)	Ic(mA)	(MHz)	(pF)
2SC1703				600		15A	150W		100	2	12A
2SC1706	日立	SW	Si.T	200	5	50	200	175	30-300	6	10	>60*	<10	49C
2SC1707	日立	AF.SW	Si.E	40	5	100	200	175	100-500	1	10	>100*	2.6	49C
2SC1707A	日立	AF.SW	Si.E	70	5	100	200	175	100-200	1	10	>100*	2.6	49C
2SC1708	三菱	AF.LN.RF	Si.EP	90	5	50	200	125	250-1200	6	1	150*	18	138B	2SA847とコンプリ
2SC1708A	三菱	AF.LN.RF	Si.EP	120	5	50	200	125	250-800	6	1	150*	1.8	138B	2SA847Aとコンプリ
2SC1709	富士通	SW	Si.EP	30	5	300	300	150	60	1	10			275
2SC1710	富士通	RF	Si.EP	15	3	130	1W(Tc=25ﾟC)	175	80	6	60	7GHz*	0.8	261
2SC1711	富士通	LN	Si.EP	20	3	30	200	175	80	8	10	7.5GHz*	0.25	262
2SC1711A	富士通	RF	Si.EP	20	3	30	200	175	80	8	10	7.5GHz*		262
2SC1712	富士通	RF	Si.EP	16	3	30	200	175	80	3	10	8GHz*	0.3	262
2SC1713	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	200	175	80	3	10	8GHz*	0.45	263
									hFE1/hFE2
									-0.4
2SC1714	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	200	175	80			8GHz*	0.45	264A
									hFE1/hFE2
									-0.4
2SC1715	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	200	175	80			8GHz*	0.45	264B
									hFE1/hFE2
									-0.4
2SC1716	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	200	175	80			8GHz*	0.45	264A
									hFE1/hFE2
									-0.4
2SC1717	東芝	PA	Si.EP	40	4	1A	10W(Tc=25ﾟC)	175	50	5	100	600*	6.5	97C
2SC1718	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	4.5A	30W(Tc=25ﾟC)	175	50	5	1.5A	600*	35	135
2SC1719	富士通	RF	Si.EP	150	5	50	1W	175	35-500	5	10	130*	2	90
									type:150
2SC1720	富士通	RF	Si.EP	150	5	50	1W	175	35-500	5	10	130*	2	90
									type:150
2SC1721	富士通	RF	Si.EP	80	5	1A	500	150	35-200	1	200	>100*	10	138
									type:70
2SC1722	日立	PA	Si.T	300	5	200	12.5W(Tc=25ﾟC)	150	50-300	10	50	80*	4.3	268
2SC1723	日立	PA	Si.T	300	5	200	15W(Tc=25ﾟC)	150	40-200	10	50	60*	6.2	268
2SC1724	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	800	7.5W(Tc=25ﾟC)	175	100	5	500	2000*	10	135
2SC1725	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	1.4A	15W(Tc=25ﾟC)	175	100	5	1A	1600*	15	135
2SC1726	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	2.8A	30W(Tc=25ﾟC)	175	100	5	1.5A	1200*	25	135
2SC1727	ソニー	RF.Conv.	Si.E	35	3	25	300	100	50-350	10	4	700*	1月2日	138C	フォワードAGC
		Mix.Osc.LN
2SC1728	ソニー	RF.PA	Si.E	100	6	1A	950	120	250	2	100	80*	16	174
2SC1729	三菱	PA	Si.EP	35	4	3.5A	35W(Tc=25ﾟC)	175	50	10	100			272
2SC1730	日電	Osc.Mix	Si.E	30	5	50	250	125	100	10	5	1100*	<1.5	138
2SC1731	日電	Diff.SW	Si.E	20	3	50	300	200	30-300	5	10	3000*	1.1	309A	2素子複合
2SC1732	日電	Diff.SW	Si.E	20	3	50/unit	200/unit	200	30100	5	10	3000	Cre 0.9	309A	2素子複合
2SC1733	日電	Diff.	Si.E	30	3	50	300	200	80	10	10	2000*	1.1	310	2素子複合
2SC1734	日立	LN	Si.E	40	6	30	100	150	160-500	6	0.1			49C
2SC1735	三菱	AF.Drive	Si.E	100	4	500	800	125	50-300	10	10	130*	7	242	2SA850とコンプリ
2SC1736	三菱	RF.AF	Si.EP	50	6	100	500	125	400	5	2	300*	2	138F
2SC1737	三菱	RF.AF	Si.EP	35	6	100	500	125	500	5	2	300*	2	138F
2SC1738	三菱	RF.AF.LN	Si.EP	35	6	100	500	125	600	5	2	300*	2	138F
2SC1739	ローム	RF.AF	Si.EP	20	4	32	250	125	180	6	1	300*	2	138
2SC1740	ローム	AF.RF.Osc.SW	Si.EP	50	5	100	300	125	120-820	6	1	180*	2	138	2SA933とコンプリ
2SC1741	ローム	AF.SW	Si.EP	40	5	500	400	125	82-390	3	100	250*	6.2	138	2SA854とコンプリ
2SC1741A	ローム	AF	Si.EP	50	5	500	400	125	82-390	3	100	250*	5	138
2SC1742	東芝	LN	Si.EP	20	2	30	150	175	120	5	10	6500*	0.66	237
2SC1743	東芝	LN	Si.EP	20	3	30	175	175	70	10	10	4500*	0.75	280
2SC1744	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	10A	70W(Tc=25ﾟC)	175	50	5	2A	200*	110	193
2SC1745	東芝	RF.LN	Si.EP	60	5	50	150	150	450	6	2	140*	2	49C
2SC1746	東芝	RF.LN	Si.EP	50	5	50	150	150	450	6	2	140*	2	49C
2SC1746A	東芝	RF.LN	Si.EP	50	5	50	150	150	450	6	2	140*	2	49C
2SC1747	日立	RF	Si.EPa	40	3	100	300	175	25-250	10	20	>1400*	Cre<2	50C
2SC1748	日電	SW	Si.T	300	7	100	800	150	60	2	50	50*	4.2	84C
2SC1749	三菱	PA	Si.TP	300	5	100	10W(Tc=25ﾟC)	150	130	10	25	80*	3.5	180
2SC1752	モトローラ	RF	Si.E	300	6	500	625	150	125	10	10	80*	1.7	138D
2SC1753	モトローラ	RF	Si.E	200	6	500	625	150	125	10	10	80*	1.7	138D
2SC1754	モトローラ	RF	Si.E	40	12	500	625	150	100k	5	10	240*	5.4	138
2SC1755	三洋	PA	Si.TP	300	7	200	15W(Tc=25ﾟC)	150	40-200	10	10	>50*	<5.3	268
2SC1756	三洋	PA	Si.TP	300	7	200	15W(Tc=25ﾟC)	150	40-200	10	10	>50*	<5.3	300
2SC1757	三洋	PA	Si.TP	300	7	200	15W(Tc=25ﾟC)	150	40-200	10	10	>50*	<5.3	267
2SC1758	日電	RF	Si.T	300	7	100	10W(Tc=25ﾟC)	150	120	10	20	80*	<3	104
2SC1760	ソニー	RF.PA	Si.E	100	6	1A	950		250	2	100	80*	16	174B
2SC1761	ソニー	RF.PA	Si.E	20	6	2A	950	120	320	2	100	80*	30	174B	2SA861とコンプリ
2SC1762	ソニー	SW	Si.T	700	12	300	470	150	50	5	10	13*	8.5	181	2SA911とコンプリ
2SC1763	東芝	PA	Si.EP	65	4	7A	80W(Tc=25ﾟC)	175	>10	10	5A	>50*	110	281
2SC1764	東芝	PA	Si.EP	65	4	12A	140W(Tc=25ﾟC)	175	>10	10	10A	>50*	220	281
2SC1765	東芝	PA	Si.EP	35	3.5	800	7.5W(Tc=25ﾟC)	175	>10	5	500		<15	97C	エミッタケース接続
2SC1766	日立	AF	Si.EPa	30	15	100	310	125	600	12	2	230*	1.8	138D	2SA1033とコンプリ
2SC1768	サンケン	PA	Si.TMe	200	6	5A	50W(Tc=25ﾟC)	150	1000	4	1A	15*	50	102
2SC1769	新日無	RF.LN	Si.EP	30	5	50	200	125	250	6	1	200*	2	138D
2SC1770	新日無	RF.AF	Si.EP	30	5	200	300	125	250	6	1	100*	5	138D
2SC1771	新日無	RF	Si.EP	60	5	200	300	125	250	6	1	100*	5	138D
2SC1772	新日無	RF	Si.EP	95	5	50	300	125	250	6	1	40*	5	138
2SC1773	新日無	RF	Si.EP	30	5	400	500	125	200	1	100	100*	6	138D
2SC1774	新日無	RF	Si.EP	60	5	400	500	125	200	1	100	100*	6	138D
2SC1775	日立	RF	Si.E	90	5	50	300	125	400-1200	12	2	200*	1.6	138	2SA872とコンプリ
2SC1775A	日立	RF	Si.E	120	5	50	300	125	400-1200	12	2	200*	1.6	138	2SA872Aとコンプリ
2SC1776	富士通	RF	Si.EP	60	6	200	300	150	150	1	10	220*	3	275
2SC1777	サンケン	PA	Si.EMe	70	6	6A	50W(Tc=25ﾟC)	150	60	4	5A	10*	90	102
2SC1778	松下	RF.Conv.Osc	Si.P	25	3	15	400	150	50	10	3	650*	1	138E
2SC1779	松下	RF	Si.P	30	3	20	400	150	50	10	2	675*	1.5	138E	フォワードAGC
2SC1780	松下	RF	Si.EP	25	3	15	150	125	50	10	2	3000*	1.5	278
2SC1781	日立	RF	Si.E	70	5	500	350	175	80-240	3	10	150*	6	49C
2SC1782	サンケン	PA	Si.TMe	140	6	10A	100W(Tc=25ﾟC)	150	60	4	3A	10*	165	102
2SC1783	サンケン	PA	Si.TMe	180	6	10A	100W(Tc=25ﾟC)	150	60	4	3A	10*	165	102
2SC1784	サンケン	PA	Si.TMe	150	6	15A	100W(Tc=25ﾟC)	150	20	4	5A			102
2SC1785	サンケン	PA	Si.TMe	200	6	15A	100W(Tc=25ﾟC)	150	20	4	5A			102
2SC1786	サンケン	PA	Si.TMe	230	6	15A	100W(Tc=25ﾟC)	150	20	4	5A			102
2SC1787	松下	RF.LN	Si.EP	35	5	30	150	125	540	5	2	150*	2.2	276	2SA880とコンプリ
2SC1788	松下	PA	Si.EP	25	7	500	625	150	160	2	500	150*	6	138	2SA1128とコンプリ
2SC1789	松下	RF.Mix.	Si.EP	25	3	50	400	150	100	10	2	1200*	1.05	138
		Conv.Osc
2SC1790	日電	RF	Si.EP	25	3	15	150	175	50	10	2	3000*	1.2	50C
2SC1791	日電	PA	Si.E	45	4	1A	11W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	500	1200*	Cre<7	184
2SC1792	日電	PA	Si.E	45	4	2A	22W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	500	800*	Cre<14	184
2SC1793				45		4A	42W	175	15-250	10	0.5	0.3*		StX-M4
2SC1797	日電	PA	Si.E	50	3.5	300	6W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	100		Cre<3	118B
2SC1798	日電	PA	Si.E	50	3.5	1A	11.6W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	150		Cre<6	118B
2SC1799	日電	PA	Si.E	50	3.5	2A	19.5W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	200		Cre<9	118B
2SC1800	日電	PA	Si.E	50	3.5	3A	29W(Tc=25ﾟC)	200	60	10	500		Cre<10	118B